ИСТОРИЯ ФАКУЛЬТЕТА ПМП И ВОСПОМИНАНИЯ ВЫПУСКНИКОВ
К 50-летию образования Факультета Полупроводниковых материалов и приборов (ПМП), НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСИС»,
Москва, 2012
Скачать в формате PDF, 6,4 Mb
Кафедра возникла в 2006 году в результате объединения двух кафедр – (1) материаловедения полупроводников и (2) кафедры физики кристаллов (до 1993 г. кристаллографии), основанных в 1962 году заслуженным деятелем науки и техники РФ, проф., д.т.н. Семеном Самуиловичем Гореликом (1911 – 2007) и выдающимся ученым-кристаллографом, проф., д.ф.-м.н. Марианной Петровной Шаскольской (1913 – 1983).
Кафедра материаловедения полупроводников стала первой в стране кафедрой, создавшей школу материаловедения для подготовки специалистов электронной промышленности. Для работы на кафедре были приглашены высококвалифицированные работники промышленности, доценты и кандидаты наук: М.М. Самохвалов, М.Я. Дашевский, Б.Е. Левин,В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина, Т.Д. Лисовская, А.А. Галаев и другие. Были созданы лаборатории роста кристаллов, микроэлектроники с вакуумным оборудованием для получения и исследования пленок и процессов диффузии, структурная, занимающаяся исследованием структуры полупроводников с использованием дифракционных и оптических методов, метрики, проводящая измерения основных электрофизических параметров полупроводников, ферритов, оснащенная оборудованием для приготовления и термической обработки, измерения основных магнитных параметров ферритов. С 1962 по 1964 г.г. до создания специальной кафедры полупроводниковых приборов кафедра материаловедения полупроводников занималась также проблемами физики и технологии полупроводниковых приборов. На кафедре были разработаны первые новые курсы и практикумы: «Материаловедение полупроводников» и «Методы исследования структуры полупроводников». Программы этих курсов были утверждены Министерством Высшего и среднего специального образования СССР в качестве типовых для специальности «Технология специальных материалов электронной техники». Для студентов старших курсов на кафедре подготовлены и читались шесть спецкурсов: «Выращивание монокристаллов с заданными свойствами и структурой», «Пленочная технология», «Диффузия в полупроводниках», «Поверхностные явления в полупроводниках», «Диффузионные методы исследования структуры и структурных несовершенств», «Свойства, состав и технология получения ферритов. Ферриты для СВЧ».
Кафедра Кристаллографии основана в 1962 году, которая с 1993 года носит название кафедра физики кристаллов. Организатором и первой заведующей кафедрой с 1962 по 1972 гг. была проф. докт. физ.-мат. наук Марианна Петровна Шаскольская. С 1972 по 2002 год кафедрой руководил проф. докт. физ.-мат. наук Александр Алексеевич Блистанов, с 2002 года зав. кафедрой являлся доц. Олег Алексеевич Бузанов. В 2006 году кафедра
физики кристаллов и каф. материаловедения полупроводников объединились. Новую кафедру под названием кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков возглавил проф. докт. физ.-мат. наук Пархоменко Ю.Н. С 1998 года кафедра выпускает бакалавров (4 года обучения) и магистров (6 лет обучения) по направлению 140400 – «Техническая физика», по программе 140406 – «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники».
Преподавателями кафедры были созданы новые курсы: «Акустоэлектроника», «Технология монокристаллов», «Оптоэлектроника», «Кристаллические люминофоры и сцинтилляторы», «Новые кристаллы в акустоэлектронике. Получение и применение», «Тензорные методы в физике кристаллов», «Компьютерные технологии в науке и образовании», «Математическое моделирование физических и технологических процессов», «Оптические явления в кристаллах», «Выращивание кристаллов», «Кристаллические компоненты акустоэлектроники», Кристаллы в квантовой электронике», «Кристаллические компоненты систем управления оптическим лучом», «А также разработаны программы научно-педагогической и научно-исследовательской практик подготовки магистров по направлению 140400 «Техническая физика».
Основателем и руководителем кафедры был заслуженный деятель науки и техники РФ, профессор, доктор технических наук Семен Самуилович Горелик (1911- 2007). Он прожил долгий и славный жизненный путь: с 16 лет — рабочий, комсомольский работник на строительстве Магнитки в 1931-1933 г.г., до июля 1935 г. — красноармеец на Дальнем Востоке (г. Чита), с 1935 г. по 1941 г. студент Института стали, сотрудник отдела оборонной промышленности МГК КПСС в годы Великой Отечественной войны. За вклад в организацию работы оборонной промышленности Москвы, в производство боеприпасов, С.С. Горелик был награжден орденом Красной Звезды. С 1946 года он непрерывно трудился в МИСиС: поступил в аспирантуру, в 1949 году защитил кандидатскую диссертацию, затем 13 лет работал на кафедре рентгенографии и физики металлов, и в 1962 году защитил докторскую диссертацию, получил звание профессора.
Научная деятельность С.С. Горелика к 1962 году концентрировалась на проблеме рекристаллизации металлов и сплавов. В июле 1962 года он был назначен на должность первого декана и в короткие сроки сумел организовать новый факультет полупроводниковых материалов и приборов. Семен Самуилович руководил факультетом в течение 10 лет, 25 лет он возглавлял кафедру материаловедения полупроводников. До самой своей смерти в 2007 г. С.С. Горелик читал лекции и вел активную научную работу на кафедре. В соавторстве с М.Я. Дашевским им написан учебник «Материаловедение полупроводников и диэлектриков», не имеющий аналогов в отечественной и мировой литературе.
Семеном Самуиловичем создана научная школа в области металловедения и материаловедения микро- и наноэлектроники. Под его научным руководством и при его огромной помощи в постановке и проведении исследований защищены 15 докторских и 75 кандидатских диссертаций. Исследования, проводимые этой школой, широко известны научной общественности, их результаты до сих пор ежегодно докладываются на отечественных и международных конференциях.
С.С. Гореликом впервые дано определение материаловедения как науки (Изв. вузов. МЭТ. 2003. № 1), в отличие от общепринятого в мире определения — «науки о материалах». Он является автором более 300 научных статей.
По инициативе С. С. Горелика в 1998 г. создан журнал «Известия вузов. Материалы электронной техники«, получивший широкое признание.
Деятельность С. С. Горелика в области подготовки высококвалифицированных инженеров и научных работников и развития материаловедения как науки высоко оценена научной общественностью, Министерством высшего образования, Правительством. Он награжден орденами Красной Звезды (1944г.), «Знак Почета» (1980 г.), «Почета» (2002 г.), медалью «За трудовую доблесть» и 12 другими медалями.
Первоначально кафедра выпускала инженеров-физиков с усиленным материаловедческим образованием, а в последствие инженеров электронной техники по специальности «Полупроводники и диэлектрики». Дипломники специализировались по следующим профилям: материаловедение полупроводников (влияние состава, структуры и технологических воздействий на свойства); методы исследования структуры полупроводников; магнитные полупроводники – ферриты. К 1969 году кафедра выпустила уже более 300 инженеров и подготовила 6 кандидатов наук.
Организатором и первой заведующей кафедры кристаллографии была выдающийся ученый-кристаллограф, проф., доктор физико-математических наук Марианна Петровна Шаскольская (1913–1983). В 1993 г. кафедра кристаллографии переименована в кафедру физики кристаллов. После реструктуризации университета в 2006 г. кафедры были объединены и вошли в состав института Физики-химии материалов (ныне института Новых материалов и нанотехнологий).
В 1962 г. в Московском институте стали и сплавов был создан факультет – «Полупроводниковые материалы и приборы», и Марианна Петровна становится организатором и заведующей кафедрой кристаллографии – первой подобной кафедрой в техническом вузе Советского Союза. Это одна из самых ярких и интересных страниц в ее биографии. Тогда, в период становления отечественной электроники, в большом количестве потребовались специалисты по материалам этой промышленности – полупроводниковым и диэлектрическим кристаллам. Кому, как не ей и проф. С.С. Горелику, первому декану нового факультета, было взяться за решение этой задачи? И М.П. вложила в создание кафедры свой огромный организаторский талант, душу, а главное – умение находить и привлекать к делу специалистов, умнейших и талантливейших людей, работавших в области кристаллографии и кристаллофизики, заражая их своим интересом и энтузиазмом.
М.П. возглавляла кафедру кристаллографии до 1972 года, а затем, передав ее своему ученику профессору А.А. Блистанову, оставалась профессором этой кафедры до последних дней своей жизни. В 1988 году по постановлению ЮНЕСКО имя М.П. Шаскольской внесено в сборник «47 выдающихся женщин-физиков мира».
Александр Алексеевич Блистанов (1937–2005) – студент, аспирант физико-химического факультета, заместитель декана при создании факультета «Полупроводниковых материалов и приборов», и декан факультета ПМП с 1972 по 1982 г., проректор на научной работе МИСиС с 1986 по 1992 г., заведующий кафедрой физики кристаллов с 1972 по 2002 г., доктор физико-математических наук, профессор.
Награжден Орденом Трудового Красного Знамени. А.А. Блистанов в течение 15 лет являлся председателем Ученого Совета при МИСиС и членом Ученого Совета при ИК РАН по присуждению ученых степеней, председателем научно-методической комиссии Министерства образования РФ по направлению «Техническая физика». Много лет А.А. Блистанов активно работал в редколлегии журнала «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», был членом оргкомитетов ряда международных научных конференций по физике кристаллов. Под его руководством были разработаны учебные планы и программы для подготовки инженеров по специализации «Материалы и компоненты квантовой электроники и оптоэлектроники», бакалавров по направлению «Техническая физика» и магистров по программе «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники». По его предложению и при непосредственном руководстве кафедра физики кристаллов была сориентирована на выпуск специалистов в области квантовой электроники и акустоэлектроники. А.А. Блистанов явился инициатором создания 3-х уровневой системы подготовки специалистов на факультете ПМП и кафедре физики кристаллов. Под его руководством создано и защищено более 100 выпускных работ, 20 кандидатских и докторских диссертаций. Ученики школы профессора А.А. Блистанова, которые работают не только в МИСиС, но и в ведущих научных центрах страны и за рубежом, успешно выдержали жесткую проверку в промышленных и научных сферах. А.А. Блистанов вместе с соавторами опубликовал более 200 научных трудов, более 50 изобретений и патентов. В соавторстве создан уникальный справочник «Акустические кристаллы». В 2000 г. вышла из печати монография «Кристаллы квантовой и нелинейной оптики», по полноте охвата и глубине изложения физики явлений, лежащих в основе применения кристаллов, не имеющая аналогов среди учебных пособий в России и за рубежом.
С 1988 г. по 1998 г. кафедрой Материаловедения полупроводников заведовал профессор доктор физико-математических наук Аули Александрович Галаев (1935-1998). В 1963 г. после окончания Московского института стали и сплавов А.А. Галаев был направлен на работу на кафедру материаловедения полупроводников с которой была связана вся его дальнейшая трудовая жизнь, и здесь он прошел путь от аспиранта до заведующего кафедрой. А.А. Галаев был крупным ученым, работы которого внесли значительный вклад в развитие материаловедения полупроводников. Его научные интересы лежали в области материаловедения поверхности и поверхностных слоев полупроводников и в области материаловедения приборных структур. В 60-е — 70-е годы им совместно с коллегами был выполнен цикл экспериментальных работ (в том числе с использованием дифракции медленных электронов) по исследованию строения химических связей на поверхностях алмазо-подобных фаз. Результаты исследования по строению полярных поверхностей ряда соединений типа АIIIВV вошли в учебную литературу. Важные и интересные результаты были получены А.А. Галаевым в области строения и свойств приборных структур, в том числе варикапов. За работу по варикапам А.А. Галаев и сотрудники ряда организаций были отмечены в 1990 г. премией Совета Министров СССР.
С 1998 года до июня 2021 года в должности заведующего кафедрой работал профессор доктор физико-математических наук, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники, директор ФГУП «Гиредмет», директор и создатель центра коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» Юрий Николаевич Пархоменко. Ю.Н. Пархоменко – крупный ученый в области физикохимии и технологии неорганических материалов, аналитических методов исследования состава и свойств неорганических и органических материалов, физического материаловедения, автор более 200 научных работ, среди которых 3 монографии, 5 патентов, авторские свидетельства. Им созданы: уникальные методы диагностики, физико-химические основы технологии материалов на основе кремния и его соединений, один из самых известных центров исследования строения, состава и свойств неорганических веществ и материалов.
Ю.Н. Пархоменко ведёт большую научно-организационную и педагогическую работу в качестве заведующего кафедрой «Материаловедение полупроводников и диэлектриков» МИСиС, главного редактора журнала Известия высших учебных заведений «Материалы электронной техники», члена редакционной коллегии научно-технического журнала «Наноиндустрия», зам. председателя диссертационного Совета Д. 212.132.06 при МИСиС, члена диссертационного Совета Д. 217.043.01 при «Гиредмете». Под научным руководством Пархоменко Ю.Н. защищены 4 кандидатских и 1 докторская диссертация. В настоящее время он осуществляет руководство 10 аспирантами.
С июня 2021 года до июня 2024 года кафедру «Материаловедение полупроводников и диэлектриков» возглавлял Артём Ромаевич Оганов, российский кристаллограф-теоретик, минералог, химик, педагог, профессор РАН. Наиболее известен работами по созданию методов компьютерного дизайна новых материалов и предсказания кристаллических структур, а также по химии высоких давлений и изучению вещества планетных недр.
Основные работы в области теоретического дизайна новых материалов, изучения состояния вещества при высоких давлениях (в частности, в недрах Земли и планет), разработки методов предсказания структуры и свойств вещества. Разработанный Огановым эффективный эволюционный метод предсказания кристаллических структур был положен им в основу программы USPEX, которую используют более 7600 исследователей по всему миру. Предсказанные им сверхтвёрдая структура бора, прозрачная фаза натрия, новый аллотроп углерода, стабильные соединения гелия и натрия, стабильность MgSiO3 пост-перовскита в мантии Земли и предсказание «запрещённых» соединений (таких, как Na3Cl, не вписывающихся в традиционные представления химии) были впоследствии подтверждены экспериментом и существенно повлияли на фундаментальные знания в материаловедении, физике, химии и науках о Земле. Открытие борофена имеет большие технологические перспективы. Огановым предложена новая шкала электроотрицательностей химических элементов. Огановым и коллегами был предсказан и изучен (теоретически и экспериментально) ряд новых сверхпроводников, одних из самых высокотемпературных среди известных сегодня: ThH10, ThH9 и YH6. Разработанные Огановым теоретические методы позволяют предсказывать и получать материалы с заданными свойствами. Оганов — автор более 300 научных статей (многие вышли в Nature, Science и других журналах) и глав в книгах, и 5 патентов. Цитирование работ (по данным на октябрь 2021 г.) — более 25100, индекс Хирша 73.
С января 2025 года кафедру МПиД возглавляет Киселев Дмитрий Александрович. Киселев Д.А. занимается исследованием поверхностных свойств сегнетоэлектриков и родственных материалов в наномасштабном уровне методами сканирующей зондовой микроскопии. В период с 2006 г. по 2010 г. (учеба в аспирантуре университета Авейру (Португалия) им подробно была изучена доменная структура и локальные сегнетоэлектрические свойства горячепрессованной керамики ЦТСЛ и свинец-содержащих монокристаллов PMN, PMN-PT и PZN-PT (методом силовой микроскопии пьезоотклика визуализирована лабиринтно-подобная доменная структура, определена размерность доменной стенки, проведены температурные исследования соответствующих параметров). В декабре 2010 года Киселевым Д.А. успешно защищена диссертация (PhD) в университете Авейру (Португалия), в 2013 году выдано свидетельство о переаттестации в ученую степень кандидата физико-математических наук (01.04.07 – физика конденсированного состояния). Кроме вышеперечисленных материалов, Киселев Д.А. проводит исследования многочисленных материалов — это монокристаллы, тонкие пленки, полимеры, композиты и мультиферроики.
Результаты исследований поверхностных свойств и состояния поляризации сегнетоэлектрических материалов опубликованы как в российских, так и в зарубежных научных журналах (более 220 публикаций), в 3-х обзорных статьях и 4-х главах в книгах, научные результаты неоднократно представлялись на национальных и международных конференциях (устные/стендовые доклады). Статья V.A. Khomchenko, D.A. Kiselev, J.M. Vieira, L. Jian, A.L. Kholkin, A.M.L. Lopes, Y.G. Pogorelov, J.P. Araujo, M. Maglione «Effect of diamagnetic Ca, Sr, Pb and Ba substitution on the crystal structure and multiferroic properties of the BiFeO3 perovskite» Journal of Applied Physics 103, 024105 (2008) в июне 2012 года вошла в список самых читаемых (загружаемых) статей издательства AIP. По данным Web of Science/Scopus индекс Хирша (h-index) Киселева Д.А = 26.
Лауреат премии Правительства Москвы молодым ученым за 2015 год – Номинация «Технические и инженерные науки» — за Значительный вклад в исследования свинец-содержащих и бессвинцовых пьезоэлектрических материалов, тонких пленок и наноструктур, материалов с высокой электромеханической связью, мультиферроиков, полимерных и композиционных материалов. Член Научно-Технического Совета НИТУ МИСИС. Заместитель главного редактора журналов «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Modern Electronic Materials»
