ИСТОРИЯ ФАКУЛЬТЕТА ПМП И ВОСПОМИНАНИЯ ВЫПУСКНИКОВ
К 50-летию образования Факультета Полупроводниковых материалов и приборов (ПМП), НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСИС»,
Москва, 2012
Скачать в формате PDF, 6,4 Mb
Кафедра возникла в 2006 году в результате объединения двух кафедр – (1) материаловедения полупроводников и (2) кафедры физики кристаллов (до 1993 г. кристаллографии), основанных в 1962 году заслуженным деятелем науки и техники РФ, проф., д.т.н. Семеном Самуиловичем Гореликом (1911 – 2007) и выдающимся ученым-кристаллографом, проф., д.ф.-м.н. Марианной Петровной Шаскольской (1913 – 1983).
Кафедра материаловедения полупроводников стала первой в стране кафедрой, создавшей школу материаловедения для подготовки специалистов электронной промышленности. Для работы на кафедре были приглашены высококвалифицированные работники промышленности, доценты и кандидаты наук: М.М. Самохвалов, М.Я. Дашевский, Б.Е. Левин,В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина, Т.Д. Лисовская, А.А. Галаев и другие. Были созданы лаборатории роста кристаллов, микроэлектроники с вакуумным оборудованием для получения и исследования пленок и процессов диффузии, структурная, занимающаяся исследованием структуры полупроводников с использованием дифракционных и оптических методов, метрики, проводящая измерения основных электрофизических параметров полупроводников, ферритов, оснащенная оборудованием для приготовления и термической обработки, измерения основных магнитных параметров ферритов. С 1962 по 1964 г.г. до создания специальной кафедры полупроводниковых приборов кафедра материаловедения полупроводников занималась также проблемами физики и технологии полупроводниковых приборов. На кафедре были разработаны первые новые курсы и практикумы: «Материаловедение полупроводников» и «Методы исследования структуры полупроводников». Программы этих курсов были утверждены Министерством Высшего и среднего специального образования СССР в качестве типовых для специальности «Технология специальных материалов электронной техники». Для студентов старших курсов на кафедре подготовлены и читались шесть спецкурсов: «Выращивание монокристаллов с заданными свойствами и структурой», «Пленочная технология», «Диффузия в полупроводниках», «Поверхностные явления в полупроводниках», «Диффузионные методы исследования структуры и структурных несовершенств», «Свойства, состав и технология получения ферритов. Ферриты для СВЧ».
Кафедра Кристаллографии основана в 1962 году, которая с 1993 года носит название кафедра физики кристаллов. Организатором и первой заведующей кафедрой с 1962 по 1972 гг. была проф. докт. физ.-мат. наук Марианна Петровна Шаскольская. С 1972 по 2002 год кафедрой руководил проф. докт. физ.-мат. наук Александр Алексеевич Блистанов, с 2002 года зав. кафедрой являлся доц. Олег Алексеевич Бузанов. В 2006 году кафедра
физики кристаллов и каф. материаловедения полупроводников объединились. Новую кафедру под названием кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков возглавил проф. докт. физ.-мат. наук Пархоменко Ю.Н. С 1998 года кафедра выпускает бакалавров (4 года обучения) и магистров (6 лет обучения) по направлению 140400 – «Техническая физика», по программе 140406 – «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники».
Преподавателями кафедры были созданы новые курсы: «Акустоэлектроника», «Технология монокристаллов», «Оптоэлектроника», «Кристаллические люминофоры и сцинтилляторы», «Новые кристаллы в акустоэлектронике. Получение и применение», «Тензорные методы в физике кристаллов», «Компьютерные технологии в науке и образовании», «Математическое моделирование физических и технологических процессов», «Оптические явления в кристаллах», «Выращивание кристаллов», «Кристаллические компоненты акустоэлектроники», Кристаллы в квантовой электронике», «Кристаллические компоненты систем управления оптическим лучом», «А также разработаны программы научно-педагогической и научно-исследовательской практик подготовки магистров по направлению 140400 «Техническая физика».
Основателем и руководителем кафедры был заслуженный деятель науки и техники РФ, профессор, доктор технических наук Семен Самуилович Горелик (1911- 2007). Он прожил долгий и славный жизненный путь: с 16 лет — рабочий, комсомольский работник на строительстве Магнитки в 1931-1933 г.г., до июля 1935 г. — красноармеец на Дальнем Востоке (г. Чита), с 1935 г. по 1941 г. студент Института стали, сотрудник отдела оборонной промышленности МГК КПСС в годы Великой Отечественной войны. За вклад в организацию работы оборонной промышленности Москвы, в производство боеприпасов, С.С. Горелик был награжден орденом Красной Звезды. С 1946 года он непрерывно трудился в МИСиС: поступил в аспирантуру, в 1949 году защитил кандидатскую диссертацию, затем 13 лет работал на кафедре рентгенографии и физики металлов, и в 1962 году защитил докторскую диссертацию, получил звание профессора.
Научная деятельность С.С. Горелика к 1962 году концентрировалась на проблеме рекристаллизации металлов и сплавов. В июле 1962 года он был назначен на должность первого декана и в короткие сроки сумел организовать новый факультет полупроводниковых материалов и приборов. Семен Самуилович руководил факультетом в течение 10 лет, 25 лет он возглавлял кафедру материаловедения полупроводников. До самой своей смерти в 2007 г. С.С. Горелик читал лекции и вел активную научную работу на кафедре. В соавторстве с М.Я. Дашевским им написан учебник «Материаловедение полупроводников и диэлектриков», не имеющий аналогов в отечественной и мировой литературе.
Семеном Самуиловичем создана научная школа в области металловедения и материаловедения микро- и наноэлектроники. Под его научным руководством и при его огромной помощи в постановке и проведении исследований защищены 15 докторских и 75 кандидатских диссертаций. Исследования, проводимые этой школой, широко известны научной общественности, их результаты до сих пор ежегодно докладываются на отечественных и международных конференциях.
С.С. Гореликом впервые дано определение материаловедения как науки (Изв. вузов. МЭТ. 2003. № 1), в отличие от общепринятого в мире определения — «науки о материалах». Он является автором более 300 научных статей.
По инициативе С. С. Горелика в 1998 г. создан журнал «Известия вузов. Материалы электронной техники«, получивший широкое признание.
Деятельность С. С. Горелика в области подготовки высококвалифицированных инженеров и научных работников и развития материаловедения как науки высоко оценена научной общественностью, Министерством высшего образования, Правительством. Он награжден орденами Красной Звезды (1944г.), «Знак Почета» (1980 г.), «Почета» (2002 г.), медалью «За трудовую доблесть» и 12 другими медалями.
Первоначально кафедра выпускала инженеров-физиков с усиленным материаловедческим образованием, а в последствие инженеров электронной техники по специальности «Полупроводники и диэлектрики». Дипломники специализировались по следующим профилям: материаловедение полупроводников (влияние состава, структуры и технологических воздействий на свойства); методы исследования структуры полупроводников; магнитные полупроводники – ферриты. К 1969 году кафедра выпустила уже более 300 инженеров и подготовила 6 кандидатов наук.
Организатором и первой заведующей кафедры кристаллографии была выдающийся ученый-кристаллограф, проф., доктор физико-математических наук Марианна Петровна Шаскольская (1913–1983). В 1993 г. кафедра кристаллографии переименована в кафедру физики кристаллов. После реструктуризации университета в 2006 г. кафедры были объединены и вошли в состав института Физики-химии материалов (ныне института Новых материалов и нанотехнологий).
В 1962 г. в Московском институте стали и сплавов был создан факультет – «Полупроводниковые материалы и приборы», и Марианна Петровна становится организатором и заведующей кафедрой кристаллографии – первой подобной кафедрой в техническом вузе Советского Союза. Это одна из самых ярких и интересных страниц в ее биографии. Тогда, в период становления отечественной электроники, в большом количестве потребовались специалисты по материалам этой промышленности – полупроводниковым и диэлектрическим кристаллам. Кому, как не ей и проф. С.С. Горелику, первому декану нового факультета, было взяться за решение этой задачи? И М.П. вложила в создание кафедры свой огромный организаторский талант, душу, а главное – умение находить и привлекать к делу специалистов, умнейших и талантливейших людей, работавших в области кристаллографии и кристаллофизики, заражая их своим интересом и энтузиазмом.
М.П. возглавляла кафедру кристаллографии до 1972 года, а затем, передав ее своему ученику профессору А.А. Блистанову, оставалась профессором этой кафедры до последних дней своей жизни. В 1988 году по постановлению ЮНЕСКО имя М.П. Шаскольской внесено в сборник «47 выдающихся женщин-физиков мира».
Александр Алексеевич Блистанов (1937–2005) – студент, аспирант физико-химического факультета, заместитель декана при создании факультета «Полупроводниковых материалов и приборов», и декан факультета ПМП с 1972 по 1982 г., проректор на научной работе МИСиС с 1986 по 1992 г., заведующий кафедрой физики кристаллов с 1972 по 2002 г., доктор физико-математических наук, профессор.
Награжден Орденом Трудового Красного Знамени. А.А. Блистанов в течение 15 лет являлся председателем Ученого Совета при МИСиС и членом Ученого Совета при ИК РАН по присуждению ученых степеней, председателем научно-методической комиссии Министерства образования РФ по направлению «Техническая физика». Много лет А.А. Блистанов активно работал в редколлегии журнала «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», был членом оргкомитетов ряда международных научных конференций по физике кристаллов. Под его руководством были разработаны учебные планы и программы для подготовки инженеров по специализации «Материалы и компоненты квантовой электроники и оптоэлектроники», бакалавров по направлению «Техническая физика» и магистров по программе «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники». По его предложению и при непосредственном руководстве кафедра физики кристаллов была сориентирована на выпуск специалистов в области квантовой электроники и акустоэлектроники. А.А. Блистанов явился инициатором создания 3-х уровневой системы подготовки специалистов на факультете ПМП и кафедре физики кристаллов. Под его руководством создано и защищено более 100 выпускных работ, 20 кандидатских и докторских диссертаций. Ученики школы профессора А.А. Блистанова, которые работают не только в МИСиС, но и в ведущих научных центрах страны и за рубежом, успешно выдержали жесткую проверку в промышленных и научных сферах. А.А. Блистанов вместе с соавторами опубликовал более 200 научных трудов, более 50 изобретений и патентов. В соавторстве создан уникальный справочник «Акустические кристаллы». В 2000 г. вышла из печати монография «Кристаллы квантовой и нелинейной оптики», по полноте охвата и глубине изложения физики явлений, лежащих в основе применения кристаллов, не имеющая аналогов среди учебных пособий в России и за рубежом.
С 1988 г. по 1998 г. кафедрой Материаловедения полупроводников заведовал профессор доктор физико-математических наук Аули Александрович Галаев (1935-1998). В 1963 г. после окончания Московского института стали и сплавов А.А. Галаев был направлен на работу на кафедру материаловедения полупроводников с которой была связана вся его дальнейшая трудовая жизнь, и здесь он прошел путь от аспиранта до заведующего кафедрой. А.А. Галаев был крупным ученым, работы которого внесли значительный вклад в развитие материаловедения полупроводников. Его научные интересы лежали в области материаловедения поверхности и поверхностных слоев полупроводников и в области материаловедения приборных структур. В 60-е — 70-е годы им совместно с коллегами был выполнен цикл экспериментальных работ (в том числе с использованием дифракции медленных электронов) по исследованию строения химических связей на поверхностях алмазо-подобных фаз. Результаты исследования по строению полярных поверхностей ряда соединений типа АIIIВV вошли в учебную литературу. Важные и интересные результаты были получены А.А. Галаевым в области строения и свойств приборных структур, в том числе варикапов. За работу по варикапам А.А. Галаев и сотрудники ряда организаций были отмечены в 1990 г. премией Совета Министров СССР.
С 1998 года до июня 2021 года в должности заведующего кафедрой работал профессор доктор физико-математических наук, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники, директор ФГУП «Гиредмет», директор и создатель центра коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» Юрий Николаевич Пархоменко. Ю.Н. Пархоменко – крупный ученый в области физикохимии и технологии неорганических материалов, аналитических методов исследования состава и свойств неорганических и органических материалов, физического материаловедения, автор более 200 научных работ, среди которых 3 монографии, 5 патентов, авторские свидетельства. Им созданы: уникальные методы диагностики, физико-химические основы технологии материалов на основе кремния и его соединений, один из самых известных центров исследования строения, состава и свойств неорганических веществ и материалов.
Ю.Н. Пархоменко ведёт большую научно-организационную и педагогическую работу в качестве заведующего кафедрой «Материаловедение полупроводников и диэлектриков» МИСиС, главного редактора журнала Известия высших учебных заведений «Материалы электронной техники», члена редакционной коллегии научно-технического журнала «Наноиндустрия», зам. председателя диссертационного Совета Д. 212.132.06 при МИСиС, члена диссертационного Совета Д. 217.043.01 при «Гиредмете». Под научным руководством Пархоменко Ю.Н. защищены 4 кандидатских и 1 докторская диссертация. В настоящее время он осуществляет руководство 10 аспирантами.
С июня 2021 года кафедру «Материаловедение полупроводников и диэлектриков» возглавляет Артём Ромаевич Оганов, российский кристаллограф-теоретик, минералог, химик, педагог, профессор РАН. Наиболее известен работами по созданию методов компьютерного дизайна новых материалов и предсказания кристаллических структур, а также по химии высоких давлений и изучению вещества планетных недр.
Основные работы в области теоретического дизайна новых материалов, изучения состояния вещества при высоких давлениях (в частности, в недрах Земли и планет), разработки методов предсказания структуры и свойств вещества. Разработанный Огановым эффективный эволюционный метод предсказания кристаллических структур был положен им в основу программы USPEX, которую используют более 7600 исследователей по всему миру. Предсказанные им сверхтвёрдая структура бора, прозрачная фаза натрия, новый аллотроп углерода, стабильные соединения гелия и натрия, стабильность MgSiO3 пост-перовскита в мантии Земли и предсказание «запрещённых» соединений (таких, как Na3Cl, не вписывающихся в традиционные представления химии) были впоследствии подтверждены экспериментом и существенно повлияли на фундаментальные знания в материаловедении, физике, химии и науках о Земле. Открытие борофена имеет большие технологические перспективы. Огановым предложена новая шкала электроотрицательностей химических элементов. Огановым и коллегами был предсказан и изучен (теоретически и экспериментально) ряд новых сверхпроводников, одних из самых высокотемпературных среди известных сегодня: ThH10, ThH9 и YH6. Разработанные Огановым теоретические методы позволяют предсказывать и получать материалы с заданными свойствами. Оганов — автор более 300 научных статей (многие вышли в Nature, Science и других журналах) и глав в книгах, и 5 патентов. Цитирование работ (по данным на октябрь 2021 г.) — более 25100, индекс Хирша 73.
