CV
ФамилияТурутин
ИмяАндрей
ОтчествоВладимирович
ДолжностьНаучный сотрудник лаборатории Физики оксидных сегнетоэлектриков
Электронная почта (корпоративная)a.turutin@misis.ru
Телефон (рабочий)—
Образование, учёные степени и учёные званияИсследователь. Преподаватель-исследователь, к.ф.-м.н.
Карьера/трудовая деятельностьФевраль 2012 — август 2016: Астрокосмический центр Учреждения Российской академии наук ФИАН, стажер исследователь. Отдел обработки астрофизических наблюдений. Проект: Приемный комплекс астрономических данных со спутника Спектр-Р (РадиоАстрон). Особенности: Разработка управляющей электроники для декодирования и записи астрономических данных. Разработка и проектирование печатных плат. Работа с отладочными платами и программаторами для чипов Xilinx. Создание базы научных данных сеансов записи спутника. Сентябрь 2014 — декабрь 2016: Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (НИТУ «МИСиС»). Лаборант. Лаборатория «Широкозонные полупроводники и приборы на их основе». Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников: Проект: Измерения спектров глубоких уровней в полевых транзисторах, светодиодах, фотоприёмниках и детекторах излучения на основе нитрида галлия. Особенности: Установление связи между присутствием тех или иных видов дефектов в приборных структурах, их эволюция в процессе эксплуатации. Анализа причин отказов, оптимизация технологических процессов производства светодиодов и HEMT на основе нитрида галлия и других широкозонных материалов (SiC, ZnO, алмаз). Приобретенные навыки: Разработка измерительного оборудования для HEMT на основе GaN, отечественного и зарубежного производства, а также для УФ светодиодов. Участие в создание лаборатории от её основания и до рабочего запуска. Отладка и настройка измерительного оборудования (вакуумная система, криостат, LCR-метр). Работа в команде ведущего учёного(http://science.misis.ru/ru/scientists/international/detail.php?ID=13021). Проведение измерений и анализ полученных данных. Сентябрь 2015 — декабрь 2015 гг., февраль 2017 – февраль 2018 гг. Научная стажировка в Университете Авейру (Португалия), кафедра Физики. Тема стажировки: Магнитоэлектрический эффект в композитных материалах на основе бидоменных LiNbO3. Особенности: Работа в лаборатории по измерению магнитных и магнитоэлектрических характеристик композитных материалов, под руководством ведущего ученого проф. д.ф.-м.н. Соболева Н.А. Приобретенные навыки: Опыт изготовления композитных магнитоэлектрических материалов, измерение прямого магнитоэлектрического эффекта. Работа с синхронным детектором (HF2LI Lock-in Amplifier). Измерение эквивалентного магнитного шума образцов, построение техники эксперимента. Результат: Статьи и выступления на международных конференциях. Магистерская диссертация. Кандидатская диссертация. Март 2018- по н.в. Научный сотрудник лаборатории Физики оксидных сегнетоэлектриков. НИТУ «МИСиС». Кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков. Проекты: РНФ No. 18-79-10265 (2018–2021 гг.), Исследование композитных мультиферроиков на основе сегнетоэлектрических монокристаллов с целью создания высокочувствительных магнитных сенсоров, в том числе для медицинских приборов. Основной исполнитель. Государственное задание № 0718-2020-0031 (2020-2023). Новые магнитоэлектрические композитные материалы на основе оксидных сегнетоэлектриков с упорядоченной доменной структурой: получение и свойства. Научный сотрудник проекта. РНФ № 19-79-30062 (2019-2022 гг.). Технология создания биоэлектронных интерфейсов для считывания сигналов и управления нейронными клетками. Участник проекта.
Направления работыВ наиболее значимых публикациях представлены исследования магнитоэлектрического эффекта в композитных мультиферроиках на основе бидоменного LiNbO3. Мы первыми предложили использовать кристаллы бидоменного LiNbO3 для создания сверхчувствительных магнитных датчиков с пониженными рабочими частотами с целью создания высокочувствительных магнитных сенсоров, в том числе для медицинских приборов. В нашей лаборатории разрабатываются высокотемпературные низкочастотные датчики сверхслабых вибраций на основе бидоменных кристаллов LiNbO3. Основные направления: новые датчиков сверхслабых магнитных полей, акселерометров, датчики вибраций, прецизионные актюаторы в том числе МЭМС исполнении.
Область научных интересовМагнитоэлектрические материалы, сверхчувствительные сенсоры магнитных полей и вибраций. Моделирование магнитоэлектрических структур. МЭМС и НЭМС технологии для создания новых сенсоров. Мемристивный эффект в тонких плёнках.
Основные исследовательские проектыРНФ No. 18-79-10265 (2018–2021 гг.), Исследование композитных мультиферроиков на основе сегнетоэлектрических монокристаллов с целью создания высокочувствительных магнитных сенсоров, в том числе для медицинских приборов. Основной исполнитель. Государственное задание № 0718-2020-0031 (2020-2023). Новые магнитоэлектрические композитные материалы на основе оксидных сегнетоэлектриков с упорядоченной доменной структурой: получение и свойства. Научный сотрудник проекта. РНФ № 19-79-30062 (2019-2022 гг.). Технология создания биоэлектронных интерфейсов для считывания сигналов и управления нейронными клетками. Участник проекта. РФФИ Экспансия № 20-12-50229 (2020-2021 гг.). Сверхчувствительные магнитоэлектрические датчики магнитного поля для биомедицинских приложений. Руководитель проекта.
Публикацииhttps://doi.org/10.1039/D1TC04170Chttps://doi.org/10.3390/nano11071775https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-1-5-17https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.04.061.https://doi.org/10.3390/s19030614Vidal, João; Turutin, Andrey; Kubasov, Ilya; Malinkovich, Mikhail; Parkhomenko, Yurii; Kobeleva, Svetlana; Kholkin, Andrei; Sobolev, Nikolai. Magnetoelectric effect in laminates comprising bidomain LiNbO3 crystals, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, VOL. 64, NO. 7, p.1102-1119, 2017, doi: 10.1109/TUFFC.2017.2694342Alexander Y. Polyakov, N. B. Smirnov, and Ivan V. Shchemerov, In-Hwan Lee Taehoon Jang, Alexey A. Dorofeev, Nadezhda B. Gladysheva, and Eugene S. Kondratyev, Yulia A. Turusova, Roman A. Zinovyev and A. V. Turutin, Fan RenS. J. Pearton. Current relaxation analysis in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. J. Vac. Sci. Technol. B 35, 011207 (2017); doi: 10.1116/1.4973973Y. Polyakov, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, Han-Su Cho, Jong Hyeob Baek, A.V. Turutin, I.V. Shemerov, E. S. Kondratyev, and In-Hwan Lee, Deep Electron Traps Responsible for Higher Quantum Efficiency in Improved GaN/InGaN Light Emitting Diodes Embedded with SiO2 Nanoparticles, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 5 (10) Q274-Q277 (2016), DOI: 10.1149/2.0051612jss.A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Turutin, I.V. Shemerov, F. Ren, S.J. Pearton, and J.W. Johnson, Deep Traps and Instabilities in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Si Substrates, J. Vac. Sci. Technol. B, Volume 34, Issue 4, 2016, doi: 10.1116/1.4953347A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, S.A. Tarelkin, A.V. Turutin,  I.V. Shemerov,  S.J. Pearton, and In-Hwan Lee, Deep traps determining the non-radiative lifetime and defect band yellow luminescence in n-GaN, Journal of Alloys and Compounds, 686 (2016), p. 1044-1052, doi: 10.1016/j.jallcom.2016.06.297.In-Hwan Lee, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, S.A. Tarelkin, A.V. Turutin, I.V. Shemerov, and S.J. Pearton, Studies of deep level centers determining the diffusion length in epitaxial layers and crystals of undoped n-GaN, Journal of Applied Physics 119, 205109 (2016), doi: 10.1063/1.4952734In-Hwan Lee, Alexander Y. Polyakov, Nikolai B. Smirnov, Eugene B. Yakimov, Sergey A. Tarelkin, Andery V. Turutin, Ivan V. Shemerov, and Stephen J. Pearton, Electron traps as major recombination centers in n-GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition, Applied Physics Express 9, 061002 (2016), doi: 10.7567/APEX.9.061002AY Polyakov, NB Smirnov, AA Dorofeev, NB Gladysheva, ES Kondratyev, IV Shemerov, AV Turutin, F Ren, SJ Pearton. Deep Traps in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on SiC, ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016 volume 5, issue 10, Q260-Q265, doi: 10.1149/2.0191610jssS.P. Kobeleva, I.M. Anfimov, S.Y. Yurchuk, A.V. Turutin «Some aspects of phosphorus diffusion in germanium in In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge heterostructures». Journal of Nano- and Electronic Physics, Volume 5, № 4, Part 1, 2013.
Научное признание 
Значимые проекты (для преподавателей) 
Награды, сертификаты, участие в ассоциациях1. Присуждена стипендия Президента Российской Федерации для обучения и исследований за рубежом в 2017/18 учебном году для аспирантов. 2. Присуждена стипендия Президента и Правительства Российской Федерации для аспирантов на 2018-2019 учебный год. 3. Победитель конкурса «УМНИК» 2017-2018 гг. Тема: Разработка векторного датчика магнитного поля на основе мультиферроиков.
Научное рецензирование, экспертизаРецензент журналов: IEEE Sensors Journal, Crystals, Molecules, Measurements.
Научное руководство—
Публикации в СМИhttps://misis.ru/university/news/science/2019-02/5993/  
Отзывы выпускников/бизнес-партнеров 
SPIN РИНЦ ORCID ResearcherID Scopus AuthorID Google Scholar WoS, Scopus, ORCID, Google Scholar
По желанию 
Персональный сайтhttps://www.researchgate.net/profile/Andrei-Turutin-2
Ссылка для перехода на страницу кафедры/лаборатории/центра на сайте misis.ruhttps://misis.ru/university/struktura-universiteta/lab/100/